Speichertechnologien

Speichertechnolgien werden in internen (On-Chip) Speicher und externen Speicher unterteilt.

EEPROM / NOR-Flash

Speicherprizip:     Floating Gate ungeladen / geladen
Lesen:                 Ladung Floating Gate verschiebt Einsatzspannung des FET, Test mit Gatespannung zwischen Einsatzspannungen geladen / ungeladen
Flächenbedarf:     klein (ca 10F²)
Zyklen lesen:       unbegrenzt
Zyklen schreiben: begrenzt (ca. 100000

MRAM

Speicherprizip:   Magnetisierungsrichtung einer ummagnetisierbaren Schicht (Free Layer)
Lesen:                Widerstand zwischen Free Layer und durch Tunnelschicht getrennter Fixed Layer hängt von der Ausrichtung der Magnetfelder ab
Flächenbedarf:   mittel (ca 30F²)
Zyklen lesen:       unbegrenzt
Zyklen schreiben: unbegrenzt

PRAM

Speicherprizip:     Phasenzustand Chalkogenidelement (amorph, kristallin)
Lesen:                 Widerstand hängt vom Phasenzustand ab (Widerstand groß im amorphen Zustand, Widerstand klein im kristallinen Zustand)
Flächenbedarf:     klein(< 10F²)
Zyklen lesen:       wahrscheinlich begrenzt
Zyklen schreiben: begrenzt (ca. 1000000)

FERAM

Speicherprizip:     Polarisationszustand eines ferroelektrischen Dielektrikums bewirkt Lade- bzw. Entladeströme
Lesen:                 Lade- bzw. Entladestrom
Flächenbedarf:     hoch
Zyklen lesen:       unbegrenzt
Zyklen schreiben: begrenzt

DRAM

Speicherprizip:     Kondensator geladen, ungeladen
Lesen:                 Kondensator entladung sorgt für Ladungsfluss (Lesen ist zerstörend)
Flächenbedarf:     mittel
Zyklen lesen:       unbegrenzt
Zyklen schreiben: unbegrenzt

Interner Speicher: meist NOR-Flash z.B. für Codespeicher in SoC's (System on Chip, schneller Zugriff ca. 50ns)

Externer Speicher: meist NAND-Flash z.B für Speicherkarten (geringste Kosten, geringster Flächenbedarf, Preis pro Bit)