Speichertechnolgien werden in internen (On-Chip) Speicher und externen Speicher unterteilt.
EEPROM / NOR-Flash
Speicherprizip: Floating Gate ungeladen / geladen
Lesen: Ladung Floating Gate verschiebt Einsatzspannung des FET, Test mit Gatespannung zwischen Einsatzspannungen geladen / ungeladen
Flächenbedarf: klein (ca 10F²)
Zyklen lesen: unbegrenzt
Zyklen schreiben: begrenzt (ca. 100000
MRAM
Speicherprizip: Magnetisierungsrichtung einer ummagnetisierbaren Schicht (Free Layer)
Lesen: Widerstand zwischen Free Layer und durch Tunnelschicht getrennter Fixed Layer hängt von der Ausrichtung der Magnetfelder ab
Flächenbedarf: mittel (ca 30F²)
Zyklen lesen: unbegrenzt
Zyklen schreiben: unbegrenzt
PRAM
Speicherprizip: Phasenzustand Chalkogenidelement (amorph, kristallin)
Lesen: Widerstand hängt vom Phasenzustand ab (Widerstand groß im amorphen Zustand, Widerstand klein im kristallinen Zustand)
Flächenbedarf: klein(< 10F²)
Zyklen lesen: wahrscheinlich begrenzt
Zyklen schreiben: begrenzt (ca. 1000000)
FERAM
Speicherprizip: Polarisationszustand eines ferroelektrischen Dielektrikums bewirkt Lade- bzw. Entladeströme
Lesen: Lade- bzw. Entladestrom
Flächenbedarf: hoch
Zyklen lesen: unbegrenzt
Zyklen schreiben: begrenzt
DRAM
Speicherprizip: Kondensator geladen, ungeladen
Lesen: Kondensator entladung sorgt für Ladungsfluss (Lesen ist zerstörend)
Flächenbedarf: mittel
Zyklen lesen: unbegrenzt
Zyklen schreiben: unbegrenzt
Interner Speicher: meist NOR-Flash z.B. für Codespeicher in SoC's (System on Chip, schneller Zugriff ca. 50ns)
Externer Speicher: meist NAND-Flash z.B für Speicherkarten (geringste Kosten, geringster Flächenbedarf, Preis pro Bit)